Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках

344 руб.
  • Производитель: Милнс А.

Подробнее

Описание и характеристики

Монография Л. Милнса, известного американского ученого, специалиста в области физики полупроводников, содержит обширный систематизированный экспериментальный материал, касающийся природы, свойств и различных про­явлений примесных центров с глубокими уровнями в германии, кремнии и полу­проводниках типа AmBv. Подробно рассмотрены различные неравновесные процессы в этих полупроводниках и р-«-переходах на их основе: механизмы захвата носителей примесными центрами при наличии электрического поля и в его отсутствие; рекомбинация и прилипание носителей; кинетика фототока и тока переключения диодов; термостимулированная проводимость; токи, ограни­ченные объемным зарядом и биполярная инжекция; различного типа неустой­чивости тока; проводимость в примесной зоне. Книга будет полезна многочисленным специалистам - физикам и инжене­рам, работающим в области исследований и технических применений полупро­водников в фото- и оптоэлектронике, полупроводниковой квантовой электро­нике и т п., а также аспирантам и студентам, специализирующимся в этой области.

Доставка

Заказанный вами товар отправляется транспортными компаниями до пунктов выдачи в вашем городе, либо курьером по указанному адресу. Не забудьте правильно указать полный точный адрес доставки, чтобы получить Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках вовремя.

Отзывы

Мы рекомендуем ознакомиться с отзывами о "Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках" перед тем как сделать заказ. После постарайтесь написать комментарий к товару. Нам важно знать ваше мнение.

Написать отзыв

Похожие товары

Смотрите также:

Выберите ваш город: [ X ]